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        美極超聲設備

        產品知識

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        關于硅片超聲波清洗技術

        在半導體材料的制備過程中,每一道工序都涉及到清洗,而且清洗的好壞直接影響下一道工序,甚至影響器件的成品率和可靠性。由于ULSI集成度的迅速提高和器件尺寸的減小,對于晶片表面沾污的要求更加嚴格,ULSI工藝要求在提供的襯底片上吸附物不多于500個/m2×0.12um,金屬污染小于 1010atom/cm2。晶片生產中每一道工序存在的潛在污染,都可導致缺陷的產生和器件的失效。因此,硅片的清洗引起了專業人士的重視。以前很多廠家都用手洗的方法,這種方法人為的因素較多,一方面容易產生碎片,經濟效益下降,另一方面手洗的硅片表面潔凈度差,污染嚴重,使下道工序化拋腐蝕過程中的合格率較低。所以,硅片的清洗技術引起了人們的重視,找到一種簡單有效的清洗方法是當務之急。專業介紹了一種超聲波清洗技術,其清洗硅片的效果顯著,是一種值得推廣的硅片清洗技術。

        晶片表面層原子因垂直切片方向的化學鍵被破壞而成為懸空鍵,形成表面附近的自由力場,尤其磨片是在鑄鐵磨盤上進行,所以鐵離子的污染就更加嚴重。同時,由于磨料中的金剛砂粒徑較大,造成磨片后的硅片破損層較大,懸掛鍵數目增多,極易吸附各種雜質,如顆粒、有機雜質、無機雜質、金屬離子、硅粉粉塵等,造成磨片后的硅片易發生變花、發藍、發黑等現象,使磨片不合格。硅片清洗的目的就是要除去各類污染物,清洗的潔凈程度直接決定著ULSI向更高集成度、可靠性、成品率發展,這涉及到高凈化的環境、水、化學試劑和相應的設備及配套工藝,難度越來越大,可見半導體行業中清洗工藝的重要性。


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